在電子電路設計中，晶振的時鐘信號穩(wěn)定性直接影響系統(tǒng)性能。分布電容（又稱雜散電容）作為電路板上導線、元件布局與絕緣介質形成的非意圖寄生電容，是導致晶振頻率偏移和信號劣化的關鍵因素之一。

分布電容對晶振的影響機制

   分布電容本質上由PCB導線間電場耦合形成，其容值通常在皮法（pF）量級，它對晶振的影響主要體現(xiàn)在三方面：

1. 頻率偏移

    晶振的實際振蕩頻率由負載電容CL決定，而CL包含外部匹配電容、芯片引腳電容及分布電容。分布電容會改變CL的有效值，導致輸出頻率偏離標稱值。例如當CL標稱值為12pF時，僅2pF的分布電容即可造成百萬分之百（100ppm）的頻率偏差。

2. 能量損耗增加 

    分布電容在交變電場中形成無功電流通路，消耗振蕩回路能量，降低晶振的品質因數(shù)（Q值）。實驗表明，Q值下降將直接導致相位噪聲增大，時鐘抖動加劇。

3. 諧波干擾風險 

     高頻時鐘信號通過分布電容耦合至鄰近線路，可能激發(fā)寄生振蕩或引入諧波干擾，嚴重時造成數(shù)字邏輯誤觸發(fā)。

     分布電容雖無法徹底消除，但通過系統(tǒng)性優(yōu)化可將其影響抑制在容許范圍內。高頻電路的成功往往在細節(jié)處顯現(xiàn)——對皮法級電容的精準掌控，正是保障全球數(shù)十億電子設備時鐘心跳穩(wěn)健的關鍵所在。